Tema 1

Diodo semiconductor

De los electrones en un cristal de silicio a las fuentes de alimentación
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Para empezar

¿Qué hace un diodo?

Un diodo deja pasar la corriente en un solo sentido: es una válvula antirretorno eléctrica.

  • En el sentido de la flecha del símbolo la corriente pasa; en el contrario, no.
  • La válvula tiene un muelle: hace falta un empujón mínimo para abrirla, unos 0,7 V en un diodo de silicio.
  • Con corriente alterna solo pasan los semiciclos de un sentido: es el primer paso para convertir la alterna de la red en la continua que necesita un móvil.
La pregunta del tema. ¿Por qué un trozo de silicio se comporta así? Para responderla hay que mirar dentro del cristal.
Hoja de ruta

¿Qué vamos a ver?

01
Semiconductores
Bandas de energía, electrones y huecos, dopaje N y P.
02
La unión PN
Zona de deplexión, barrera de potencial y polarización.
03
El diodo
Curva característica, recta de carga, modelos, temperatura y potencia.
04
Diodo Zener
Avalancha controlada y regulador de tensión.
05
Otros diodos
Schottky, túnel, varactor, LED, láser y fotodiodo.
06
Aplicaciones
Rectificadores, recortadores, fijadores, doblador, detector de pico y convertidor conmutado.
Cómo usar esta presentación. Casi todas las diapositivas tienen un simulador: mueve los deslizadores y observa. Las ecuaciones del libro aparecen a la izquierda y los resultados numéricos se recalculan en directo. Código de colores: electrones, huecos, corriente, diodo en conducción.
1 · Semiconductores

Conductores, aislantes y semiconductores

La conducción depende de lo libres que estén los electrones de valencia.

  • Conductor: nube de electrones libres a cualquier temperatura.
  • Aislante: electrones fuertemente ligados; no hay corriente.
  • Semiconductor: ligados débilmente. Aislante a baja T; al calentarse, algunos electrones quedan libres.
Teoría de bandas. En un cristal los niveles se agrupan en la banda de valencia, la banda de conducción y, entre ellas, la banda prohibida Eg.

1 eV = energía que gana un electrón al atravesar 1 V = 1,6·10−19 J. En el silicio Eg ≈ 1,1 eV.

1 · Semiconductores

Conducción en un semiconductor puro: electrones y huecos

  • El silicio tiene 4 electrones de valencia: forma enlaces covalentes con 4 vecinos (octeto completo).
  • Al subir la temperatura algunos enlaces se rompen: aparece un electrón libre y deja un hueco.
  • El hueco se comporta como una carga positiva: un electrón vecino lo ocupa y el hueco “se desplaza”.
  • Con campo eléctrico, electrones y huecos se mueven en sentidos opuestos, pero ambos contribuyen a la corriente en el mismo sentido.
I = Ielectrones + Ihuecos

En un semiconductor puro (intrínseco) hay tantos electrones libres como huecos, y muy pocos: la corriente es muy pequeña.

1 · Semiconductores

Semiconductores dopados (extrínsecos): tipo N y tipo P

El dopaje introduce pequeñas cantidades de impurezas para aumentar la conductividad de forma controlada.

Tipo N — impurezas con 5 electrones de valencia (P, As, Sb). El quinto electrón queda casi libre: impurezas donadoras.
Tipo P — impurezas con 3 electrones de valencia (B, Al, Ga). Falta un electrón en un enlace: un hueco. Impurezas aceptoras.
  • Mayoritarios (proceden del dopaje): electrones en N, huecos en P.
  • Minoritarios (generación térmica): huecos en N, electrones en P.

Ambos materiales siguen siendo eléctricamente neutros: cada portador está compensado por la carga del ion de impureza.

2 · La unión PN

¿Qué ocurre al unir un semiconductor P y uno N?

A un lado hay muchos huecos y casi ningún electrón libre; al otro, al revés.

  • Difusión: los electrones de N que llegan a P se recombinan con un hueco: desaparecen los dos.
  • Quedan iones fijos sin compensar: positivos en N (donador que perdió su electrón) y negativos en P (aceptor que lo capturó).
  • Esa carga repele a los siguientes portadores: cada cruce cuesta más y el proceso se frena.
  • Queda una franja sin portadores libres: la zona de deplexión.
Analogía. Canicas que caen en agujeros. Cada agujero lleno deja la zona cargada y esa carga aparta a las siguientes canicas: solo se llena una franja estrecha.
2 · La unión PN

Barrera de potencial y equilibrio dinámico

  • Los iones descubiertos (+ en N, − en P) crean un campo eléctrico interno dirigido de N a P.
  • Ese campo es una barrera de potencial V0 ≈ 0,7 V (Si): una cuesta que solo suben los portadores mayoritarios con más energía.
  • Arrastre: el mismo campo empuja a los pocos minoritarios que llegan a la zona (electrones de P hacia N, huecos de N hacia P).
Equilibrio dinámico. La corriente de difusión (mayoritarios que suben la cuesta) se compensa con la de arrastre (minoritarios que la bajan). Siguen cruzando portadores, pero la corriente neta es cero.
2 · La unión PN

Polarización de la unión PN

Polarizar = aplicar una tensión continua para fijar el estado de funcionamiento del dispositivo.

Directa (P a más tensión que N). El campo externo se opone al interno: la zona de deplexión se estrecha y la barrera baja. La corriente de difusión crece enormemente: conduce.
Inversa (P a menos tensión que N). El campo externo refuerza al interno: la zona de deplexión se ensancha. Solo queda la corriente de arrastre de minoritarios (nA–µA): no conduce.

Esta asimetría es lo que convierte a la unión PN en una “válvula” de un solo sentido.

3 · El diodo

Símbolo y curva característica

Terminal P = ánodo (A); terminal N = cátodo (K). La flecha del símbolo indica el sentido en que conduce.

  • Directa: no conduce hasta superar la tensión umbral Vγ; después, la corriente crece muy bruscamente.
  • Vγ ≈ 0,7 V (Si) · 0,25 V (Ge) · 1,4 V (GaAs).
  • Inversa: corriente negativa pero minúscula (nA–µA) ≈ 0.
  • Si se supera la tensión de ruptura VBR se produce una avalancha y el diodo se destruye.

La relación I–V es no lineal: no hay una “resistencia” del diodo.

3 · El diodo

Recta de carga y punto de funcionamiento

Kirchhoff en la malla (fuente, resistencia y diodo en serie):

V = ID·R + VD  ⇒  ID = V − VD⁄R
  • Es una recta en el plano ID–VD: la impone el circuito externo. Corta los ejes en V/R (si VD = 0) y en V (si ID = 0).
  • El diodo impone su curva. El punto de trabajo Q es la intersección.
  • Resolverlo así es costoso (hace falta la curva exacta) → usaremos modelos simplificados.
3 · El diodo

Modelos equivalentes del diodo

  • Ideal: Vγ = 0 y pendiente infinita. Directa → cortocircuito; inversa → circuito abierto.
  • Fuente de tensión (el más usado): conduce con VAK = Vγ.
  • Lineal: Vγ en serie con Rf; en inversa Rr → ∞.
ParámetroValor típico
VγSi 0,7 V · Ge 0,25 V · GaAs 1,4 V
Rf< 50 Ω (señal) · < 1 Ω (potencia)
Rrmuy grande (fugas µA–nA)
VBRno se usa en cálculos: ¡no superarla!
3 · El diodo

Modos de funcionamiento: ¿ON u OFF?

EstadoEquivale aEcuaciónCondición
ONfuente VγVAK = VγID > 0
OFFcircuito abiertoID = 0VAK < Vγ
Método de hipótesis
  1. Suponer un estado (ON u OFF).
  2. Sustituir el diodo por su equivalente.
  3. Resolver el circuito.
  4. Comprobar la condición. Si no se cumple, la hipótesis era falsa: probar la otra.

La condición a comprobar es siempre la variable que el modelo no fija: en ON se comprueba la corriente; en OFF, la tensión.

3 · El diodo

Método de hipótesis: tres ejemplos de dificultad creciente

EstadoEquivale aEcuaciónCondición
ONfuente VγVAK = VγID > 0
OFFcircuito abiertoID = 0VAK < Vγ
La señal de alarma. Si al suponer ON sale ID < 0, o al suponer OFF sale VAK > Vγ, la hipótesis era falsa: se prueba la otra.
3 · El diodo

Método de hipótesis con dos diodos

  • Con n diodos hay 2n combinaciones de estados: con dos, cuatro.
  • Se empieza por la que parece más probable y se comprueban todas las condiciones.
  • Si falla la de un diodo, se cambia el estado de ese diodo y se vuelve a resolver.
  • La solución es la única combinación en la que se cumplen todas a la vez.

Con V = 10 V y VB = 6 V, ¿qué pasa si bajamos VB a 2 V?

3 · El diodo

Capacidad de la unión

La unión PN también se comporta como un pequeño condensador:

  • En inversa (capacidad de transición): la zona de deplexión es un dieléctrico entre dos zonas conductoras. Más tensión inversa → zona más ancha → menos capacidad.
  • En directa (capacidad de difusión): los portadores se almacenan un instante cerca de la unión antes de recombinarse.
¿Importa? Son capacidades de pF: solo cuentan a alta frecuencia (MHz). A frecuencias bajas se desprecian.
3 · El diodo

Efecto de la temperatura

El calor da energía extra a los electrones y rompe más enlaces:

  • Tensión umbral: disminuye ≈ 2 mV por °C.
    V(T1) − V(T0) ≈ k(T1 − T0)
    k ≈ −2 mV/°C (Si)
  • Corriente inversa de fugas: se duplica cada 10 °C.
    is(T1) ≈ is(T0) · 2(T₁−T₀)/10
  • Tensión de ruptura: aumenta con la temperatura.
3 · El diodo

Corriente admisible y cálculo térmico

El límite real de corriente lo pone el calor que se genera en la unión.

P̄D = 1⁄T∫ vD iD dt ≈ VD · Imedia

El calor sale al ambiente a través de la resistencia térmica RθJA (análoga a la ley de Ohm):

TJ = TA + P̄D · RθJA
  • Debe cumplirse TJ < TJmax (≈ 150 °C) o el diodo se quema.
  • Un disipador reduce RθJA y permite más corriente.
3 · El diodo

Parámetros del fabricante: ¿me sirve este diodo?

Parámetros de ruptura (si se superan, el diodo se quema)
  • Corriente máxima en directo (continua o media)
  • Temperatura máxima de la unión TJmax
  • Resistencia térmica / potencia máxima
  • Corriente de pico máxima
  • Tensión inversa de ruptura
Parámetros de funcionamiento
  • Caída de tensión en directo (curvas ID–VD)
  • Corriente inversa máxima
  • Variación con la temperatura
4 · Diodo Zener

El diodo Zener: trabajar en ruptura sin destruirse

Con un dopado especial se consigue un diodo que conduce en inversa de forma controlada. Dos efectos:

Avalancha. Los electrones del arrastre se aceleran en el campo, chocan con electrones de valencia y los liberan. Estos se aceleran y liberan otros: reacción en cadena.
Efecto Zener. En uniones muy dopadas y estrechas, un campo muy intenso arranca directamente electrones de sus enlaces.

En directa se comporta como un diodo normal (Vγ ≈ 0,7 V). En inversa, al llegar a VZ conduce y mantiene la tensión casi constante.

4 · Diodo Zener

Curva, parámetros y modelo del Zener

  • VZ: tensión inversa de avalancha.
  • RZ: impedancia Zener (pocos ohmios) = inversa de la pendiente en avalancha.
EstadoEcuaciónCondición
ON (directa)VAK = VγIAK > 0
OFF (corte)ID = 0−VZ < VAK < Vγ
Zener (inversa)VKA = VZIKA > 0
  • Criterio práctico: IZ > 10 % de IZmax para estar en avalancha.
  • Temperatura: VZ < 5 V → coeficiente negativo; VZ > 5 V → positivo.
  • Potencia: PZ ≈ VZ · IZmax
4 · Diodo Zener

Regulador de tensión con Zener

Problema del libro: V = 14–20 V, RL = 50–100 Ω, VZ = 10 V. Calcular R y las potencias.

IZ = V − VZ⁄R − VZ⁄RL
  • IZmin: V = 14 V y RL = 50 Ω
  • IZmax: V = 20 V y RL = 100 Ω
  • Criterio IZmin = 0,1·IZmax → R = 15,8 Ω
  • PR = 6,33 W · PZ = 5,33 W
% regulación = (Vmax − Vmin) / Vnominal · 100
Con RZ = 2 Ω → ≈ 9,5 % (9,6 % sin redondear)
4 · Diodo Zener

Aproximación del criterio del 10 %

Método general: IZ,min = 0,1 IZ,max con

IZ,min = (Vi,min − VZ)/R − IL,max
IZ,max = (Vi,max − VZ)/R − IL,min

Hipótesis 1: Vi constante ⇒ los dos términos son la corriente de R: IR = (Vi − VZ)/R.

Hipótesis 2: carga desconectable ⇒ IL,min = 0.

Queda IZ,min = IR − IL,max e IZ,max = IR:

IR − IL,max = 0,1 IR ⇒ IR = IL,max/0,9
Solo es exacta si se cumplen las dos hipótesis. Si Vi varía o la carga no se desconecta, la R aproximada hay que comprobarla (o usar el método general).
5 · Otros tipos de diodos

Schottky, túnel y varactor

5 · Otros tipos de diodos

Optoelectrónica: LED, láser y fotodiodo

6 · Aplicaciones · Rectificadores

Rectificador de media onda y filtrado

Convertir alterna (AC) en una tensión de un solo signo y, filtrándola, en continua.

  • Es el método de hipótesis aplicado instante a instante: en cada momento el diodo está ON u OFF según cuánto valga vi(t).
  • Sin C: si Vpsen ωt > Vγ el diodo conduce: VL = Vpsen ωt − Vγ. Si no, VL = 0.
  • Con C: se carga hasta Vmax = Vp − Vγ y se descarga por RL mientras el diodo está en corte.
ΔV ≈ IL⁄f C ≈ Vmax⁄f C RL
  • VL,media ≈ Vmax − ΔV/2 · ID,media = IL
  • Tensión inversa de pico en el diodo: 2Vp
6 · Aplicaciones · Rectificadores

Rectificador de onda completa (puente de diodos)

  • Cuatro diodos en puente: la corriente atraviesa la carga siempre en el mismo sentido.
  • Semiciclo positivo: conducen D1 y D3. Semiciclo negativo: D2 y D4.
  • Siempre hay dos diodos en serie: Vmax = Vp − 2Vγ
  • El condensador se recarga en cada semiciclo: la mitad de tiempo para descargarse → la mitad de rizado.
ΔV ≈ IL⁄2 f C ≈ Vmax⁄2 f C RL
6 · Aplicaciones · Recortadores y limitadores

Saturación: recorte de picos

El diodo está en paralelo con la salida: la salida sigue a la entrada hasta que el diodo conduce y la fija.

  • (a) Diodo + fuente: corte mientras Vo < VB + Vγ; después Vo = VB + Vγ.
  • (b) Con Zener: el Zener sustituye a la fuente auxiliar.
  • (c) Zeners en oposición: recorta los dos semiciclos, en +(VZ1 + Vγ2) y −(VZ2 + Vγ1).

La gráfica de la derecha es la característica de transferencia Vo(Vi): resume el circuito sin depender de la forma de onda.

6 · Aplicaciones · Recortadores y limitadores

Zona muerta

El diodo está en serie con la señal: la salida es nula hasta que la entrada vence la barrera.

  • (a) Diodo + fuente: Vo = 0 si V < VB + Vγ; si no, Vo = V − (VB + Vγ).
  • (b) Zener en serie y en oposición: su VZ fija el ancho de la zona.
  • (c) Dos Zener en oposición: zona muerta simétrica en [−(VZ2+Vγ1), +(VZ1+Vγ2)].
Uso: en sistemas de control, evita que el ruido de baja amplitud active los actuadores.
6 · Aplicaciones · Fijadores y multiplicadores

Fijadores de tensión (cambiadores de nivel de continua)

Añaden una componente continua a la señal sin cambiar su forma ni su amplitud pico a pico.

  • Con RL → ∞: en el primer semiciclo positivo, cuando V(t) > VB + Vγ, el diodo conduce y carga el condensador.
  • El condensador se queda cargado a V − VB − Vγ y el diodo pasa a inversa.
  • El condensador actúa como una pila en serie con la señal:
Vo = V sen ωt − (V − VB − Vγ)

Con RL finita el condensador se descarga un poco en cada ciclo y el diodo repone la carga en los picos.

6 · Aplicaciones · Fijadores y multiplicadores

Doblador de tensión

  • Suponemos RL muy grande.
  • Semiciclo negativo: D1 conduce y C1 se carga a Vp.
  • Semiciclo positivo: la fuente y C1 quedan en serie (hasta 2Vp); D2 conduce y pasa carga a C2.
  • Tras muchos ciclos: VC1 = Vp y VL = VC2 ≈ 2Vp.

Es un fijador (C1 + D1) seguido de un detector de pico (D2 + C2). Encadenando etapas se obtienen triplicadores, cuadruplicadores…

6 · Aplicaciones · Otras aplicaciones

Detector de pico y demodulador de AM

  • Es el rectificador de media onda con condensador.
  • Con RL = ∞ el condensador no se descarga: guarda el valor máximo de la entrada.
  • Con una RL adecuada la salida sigue los picos: demodulador de AM (recupera la envolvente).
Compromiso de diseño: RLC grande para no descargarse entre picos de la portadora, pero pequeña para seguir las bajadas de la envolvente:
1/fportadora ≪ RLC ≪ 1/fmensaje
6 · Aplicaciones · Otras aplicaciones

Convertidor continua-continua reductor (buck)

  • Un interruptor se abre y cierra muy rápido; la bobina y el condensador suavizan la salida.
  • La corriente de una bobina no puede tener discontinuidades (vL = L di/dt).
  • Al abrirse el interruptor, el diodo ofrece un camino alternativo a esa corriente (diodo de libre circulación).
  • Sin diodo, la bobina generaría una sobretensión enorme que destruiría el interruptor.

En régimen permanente Vo ≈ D·V, con D la fracción de tiempo que el interruptor está cerrado.

7 · Cierre

Resumen del tema

Física
BandasSemiconductor: banda prohibida estrecha (≈1 eV).
Electrones y huecosDos tipos de portadores.
Dopaje N / PMayoritarios y minoritarios.
Unión PNDeplexión y barrera de potencial.
Diodo
Curva I–VVγ ≈ 0,7 V; fugas ≈ 0; ruptura VBR.
ModelosIdeal · fuente Vγ · Vγ + Rf.
Método de hipótesisON: comprobar ID > 0. OFF: comprobar VAK < Vγ.
TérmicoTJ = TA + P·RθJA < TJmax.
Zener y otros
ZenerEn inversa mantiene VZ. Criterio del 10 %.
ReguladorDiseñar R para el peor caso.
Schottky · túnel · varactorRápido · resistencia negativa · C(V).
LED · láser · fotodiodoLuz ↔ corriente.
Aplicaciones
RectificadoresΔV ≈ Vmax/(f C RL) · ÷2 en onda completa.
Recortadores / zona muertaDiodo en paralelo / en serie.
Fijadores / dobladorEl condensador como pila en serie.
Detector de pico · buckDemodulación AM · libre circulación.

Cada recuadro enlaza con su diapositiva.

7 · Cierre

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7 · Cierre

Ejercicios propuestos (ver libro)

  • Ej. 1 · Tensión en la carga en régimen permanente con diodos ideales y condensadores muy grandes. → doblador · → fijadores
  • Ej. 2 · Regulador Zener para un registrador (20–25 V, 10 V, 30–50 mA, RZ = 10 Ω). → regulador
  • Ej. 3, 6, 8, 9, 10, 11 · Diseño de reguladores con el criterio del 10 %. → regulador
  • Ej. 4, 5, 7 · Salida y potencia en el Zener con entrada triangular. → recortadores · → zona muerta
Estrategia general
  1. Identificar los diodos y sus posibles estados.
  2. Suponer estados y sustituir por modelos equivalentes.
  3. Resolver con Kirchhoff.
  4. Comprobar las condiciones de cada diodo.
  5. En circuitos con señales variables: dividir la señal en tramos según el estado de los diodos y dibujar la característica de transferencia.
  6. Para diseño: plantear el peor caso (máximos y mínimos) y aplicar el criterio del 10 % en los Zener.
Consejo: usa los simuladores para comprobar tus resultados, no para obtenerlos.